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GC2263实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GC2263

GC2263

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商品型号
GC2263
商品编号
C504379
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.744克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

GC2263是一个高精度PWM控制电路集成芯片,主要应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器中。GC2263正常的工作频率是可以根据外部进行调节的,具有可变性。在轻载或者空载的条件下,芯片进入间歇工作模式,可降低开关损耗,所以其具有较低的待机功耗和较高的转换效率。VDD端较低的启动电流和工作电流对启动的设计具有较大的弹性,一个大阻值的电阻应用在启动电路设计中可以有效的降低待机功耗。内部的斜率补偿功能模块可以提高系统处理大信号的稳定性,还可以减少在较大PWM占空比条件下次谐波振荡的输出。在CS端内置的前沿消隐时间(LEB)有效的减少了缓冲电路反向恢复信号照成的时间延迟故障,这可以大大降低外部二极管的数量,有效的节约成本。GC2263还额外提供了多种有效的保护功能,比如:过流保护(OCP)、过载保护(OLP)、VDD过压钳位和低压锁定(UVLO)等功能。GATE输出端的最大钳位电压为18V,这可以有效的保护外部MOS管不被电压过高而烧毁。此外该芯片还具有优良的频率抖动功能和软启动功能,以便保护芯片在正常工作时具有良好的EMI特性。GC2263采用SOT23 - 6和DIP8封装形式。

商品特性

  • 低待机功耗:间歇工作模式下空载和轻载(<1/5 load)可以达到超低的待机功耗。
  • 无噪声工作:在空载、轻载和满载的情况下都不会产生噪音,优化的设计方案可以使得在任何条件下都不会产生噪音。
  • 较低的启动电流:低至3uA,有效的降低启动电路损耗,降低启动时间。
  • 更低的工作电流:低至1.4mA,有效降低系统的损耗,提高系统的工作效率。
  • 内置前沿消隐电路(LEB):节省外部RC滤波,降低应用成本。
  • 完善的保护功能:OCP、OLP、UVLO等。
  • MOS软启动有效改善系统的EMI特性。
  • 外围器件少,降低成本。
  • 优良的EMI特性:频率抖动功能有效的优化了EMI特性,同时降低了系统的EMI成本。

应用领域

  • 电池充电器
  • 小功率电源适配器
  • 机顶盒电源
  • 开放式开关电源

数据手册PDF