CD74HCT259M
可寻址锁存器
- 描述
- CD74HCT259 高速 CMOS 逻辑 8 位可寻址锁存器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CD74HCT259M
- 商品编号
- C504696
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 管装
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | 可寻址锁存器 | |
| 输出类型 | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 通道数 | 8 | |
| 拉电流(IOH) | 4mA | |
| 灌电流(IOL) | 4mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 16ns | |
| 系列 | 74HCT | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 建立时间 | 17ns | |
| 保持时间 | 0ns | |
| 静态电流(Iq) | 160uA |
商品概述
CDx4HC(T)259 是具有三个有效工作模式(可寻址锁存器、存储器和 8 线解码器)和一个复位模式的 8 位可寻址锁存器。CDx4HC(T)259 8位可寻址锁存器面向数字系统中的通用存储应用设计,属于多功能器件,可在8个可寻址锁存器中存储单线数据,也可作为输出高有效的1对8解码器或分线器使用。通过控制清零(CLR)和使能(G)输入,可选择四种不同的工作模式:可寻址锁存模式:CLR为高电平,G为低电平,数据输入端的数据被写入被寻址的锁存器,被寻址的锁存器跟随数据输入变化,所有未被寻址的锁存器保持之前的状态不变;存储模式:CLR为高电平,G为高电平,所有锁存器保持之前的状态不变,不受数据或地址输入影响,为避免锁存器输入错误数据,地址线变化时应将G保持为高电平(非激活状态);1对8解码或分线模式:CLR为低电平,G为低电平,被寻址的输出跟随D输入的电平变化,所有其他输出为低电平;清零模式:CLR为低电平,G为高电平,所有输出为低电平,不受地址和数据输入影响
商品特性
- 缓冲输入和输出
- 四个工作模式
- 当 VCC = 5 V、CL = 15 pF、TA = 25℃ 时标注传播延迟典型值
- 温度范围内可满足扇出要求
- 标准输出可带10个LSTTL负载
- 总线驱动器输出可带15个LSTTL负载
- 工作温度范围为 -55℃ 至 125℃
- 平衡的传播延迟及转换时间
- 与LSTTL逻辑IC相比,可显著降低功耗
- HC类型工作电压为 2 V 至 6 V
- HC类型高抗噪性:当 VCC = 5 V 时,NIL 为 VCC 的 30%,NIH 为 VCC 的 30%
- HCT类型工作电压为 4.5 V 至 5.5 V
- HCT类型支持直接LSTTL输入逻辑兼容性,VIL最大值为 0.8 V,VIH最小值为 2 V
- HCT类型满足CMOS输入兼容性,当电压为 VOL、VOH 时,II ≤ 1 μA
应用领域
- 数字系统通用存储应用
- 工作寄存器
- 串行保持寄存器
- 输出高有效的解码器
- 分线器
- TPIC6B259DW
- HBR680M1EBK-0608K
- FD2H003BH-G1
- STM32F302R8T6
- MX25L3236FM2I-08G
- MX25L3236FM2I-08Q
- MX25L6433FM2I-08Q
- MX29LV640ETTI-70G
- MX25L1635EM2I-10G
- MX25L512EOI-10G
- MX25L6435EM2I-10G
- MX25L12835FZ2I-10G
- MX29GL128FLT2I-90G
- MX29GL256FHT2I-90Q
- MX29GL256FLT2I-90Q
- MX29LV160DBTI-70G
- MX29LV800CTTI-70G
- MX60LF8G18AC-TI
- GS8591-SR
- LNK3294G-TL
- LNK3294P


