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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CD74HCT259M

可寻址锁存器

描述
CD74HCT259 高速 CMOS 逻辑 8 位可寻址锁存器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
CD74HCT259M
商品编号
C504696
商品封装
SOIC-16​
包装方式
管装
0

商品参数

属性参数值
商品目录锁存器
逻辑类型可寻址锁存器
输出类型-
工作电压4.5V~5.5V
通道数8
拉电流(IOH)4mA
灌电流(IOL)4mA
属性参数值
传播延迟(tpd)16ns
系列74HCT
工作温度-55℃~+125℃
建立时间17ns
保持时间0ns
静态电流(Iq)160uA

商品概述

CDx4HC(T)259 是具有三个有效工作模式(可寻址锁存器、存储器和 8 线解码器)和一个复位模式的 8 位可寻址锁存器。CDx4HC(T)259 8位可寻址锁存器面向数字系统中的通用存储应用设计,属于多功能器件,可在8个可寻址锁存器中存储单线数据,也可作为输出高有效的1对8解码器或分线器使用。通过控制清零(CLR)和使能(G)输入,可选择四种不同的工作模式:可寻址锁存模式:CLR为高电平,G为低电平,数据输入端的数据被写入被寻址的锁存器,被寻址的锁存器跟随数据输入变化,所有未被寻址的锁存器保持之前的状态不变;存储模式:CLR为高电平,G为高电平,所有锁存器保持之前的状态不变,不受数据或地址输入影响,为避免锁存器输入错误数据,地址线变化时应将G保持为高电平(非激活状态);1对8解码或分线模式:CLR为低电平,G为低电平,被寻址的输出跟随D输入的电平变化,所有其他输出为低电平;清零模式:CLR为低电平,G为高电平,所有输出为低电平,不受地址和数据输入影响

商品特性

  • 缓冲输入和输出
  • 四个工作模式
  • 当 VCC = 5 V、CL = 15 pF、TA = 25℃ 时标注传播延迟典型值
  • 温度范围内可满足扇出要求
  • 标准输出可带10个LSTTL负载
  • 总线驱动器输出可带15个LSTTL负载
  • 工作温度范围为 -55℃ 至 125℃
  • 平衡的传播延迟及转换时间
  • 与LSTTL逻辑IC相比,可显著降低功耗
  • HC类型工作电压为 2 V 至 6 V
  • HC类型高抗噪性:当 VCC = 5 V 时,NIL 为 VCC 的 30%,NIH 为 VCC 的 30%
  • HCT类型工作电压为 4.5 V 至 5.5 V
  • HCT类型支持直接LSTTL输入逻辑兼容性,VIL最大值为 0.8 V,VIH最小值为 2 V
  • HCT类型满足CMOS输入兼容性,当电压为 VOL、VOH 时,II ≤ 1 μA

应用领域

  • 数字系统通用存储应用
  • 工作寄存器
  • 串行保持寄存器
  • 输出高有效的解码器
  • 分线器