TPIC6B259DW
开漏输出可寻址锁存器
- 描述
- TPIC6B259 150mA/通道 8 位可寻址锁存器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC6B259DW
- 商品编号
- C504697
- 商品封装
- SOIC-20
- 包装方式
- 管装
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 锁存器 | |
| 逻辑类型 | 可寻址锁存器 | |
| 输出类型 | 开漏 | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 通道数 | 8 | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟(tpd) | 150ns | |
| 系列 | TPIC | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 建立时间 | 20ns | |
| 保持时间 | 20ns | |
| 静态电流(Iq) | 20uA |
商品概述
该功率逻辑8位可寻址锁存器带有漏极开路DMOS晶体管输出,专为数字系统中的通用存储应用设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器、解码器或解复用器。这是一款多功能器件,可在8个可寻址锁存器中存储单线数据,也可作为带有低有效DMOS输出的3线-8线解码器或解复用器。可通过控制清零端(CLR)和使能端(G)选择四种不同的工作模式,功能表中已列出。在可寻址锁存模式下,数据输入端(D)的数据被写入被寻址的锁存器。被寻址的DMOS晶体管输出对输入数据进行反相,所有未被寻址的DMOS晶体管输出保持原有状态。在存储模式下,所有DMOS晶体管输出保持原有状态,不受数据或地址输入的影响。为避免锁存器输入错误数据,地址线变化时应将使能G保持为高电平(无效)。在3线-8线解码或解复用模式下,被寻址输出对D输入进行反相,所有其他输出关闭。在清零模式下,所有输出关闭,不受地址和数据输入的影响。当指定输出的数据为低电平时,DMOS晶体管输出关闭;当数据为高电平时,DMOS晶体管输出具有灌电流能力。输出为低侧漏极开路DMOS晶体管,额定输出为50 V、150 mA连续灌电流能力。每个输出在TC=25℃时典型限流为500 mA。结温升高时电流限制会降低,为器件提供额外保护。TPIC6B259的工作管壳温度范围为-40℃至125℃。
商品特性
- 低导通电阻(rDS(on)),典型值5 Ω
- 雪崩能量30 mJ
- 八个功率DMOS晶体管输出,支持150 mA连续电流
- 具备500 mA典型限流能力
- 输出钳位电压50 V
- 四种不同功能模式
- 低功耗
应用领域
- 数字系统通用存储应用
- 工作寄存器
- 串行保持寄存器
- 解码器
- 解复用器
- HBR680M1EBK-0608K
- FD2H003BH-G1
- STM32F302R8T6
- MX25L3236FM2I-08G
- MX25L3236FM2I-08Q
- MX25L6433FM2I-08Q
- MX29LV640ETTI-70G
- MX25L1635EM2I-10G
- MX25L512EOI-10G
- MX25L6435EM2I-10G
- MX25L12835FZ2I-10G
- MX29GL128FLT2I-90G
- MX29GL256FHT2I-90Q
- MX29GL256FLT2I-90Q
- MX29LV160DBTI-70G
- MX29LV800CTTI-70G
- MX60LF8G18AC-TI
- GS8591-SR
- LNK3294G-TL
- LNK3294P
- MAX22701EASA+


