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TPIC6B259DW

开漏输出可寻址锁存器

描述
TPIC6B259 150mA/通道 8 位可寻址锁存器
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPIC6B259DW
商品编号
C504697
商品封装
SOIC-20​
包装方式
管装
0

商品参数

属性参数值
商品目录锁存器
逻辑类型可寻址锁存器
输出类型开漏
工作电压4.5V~5.5V
通道数8
拉电流(IOH)-
灌电流(IOL)-
属性参数值
传播延迟(tpd)150ns
系列TPIC
工作温度-40℃~+125℃
建立时间20ns
保持时间20ns
静态电流(Iq)20uA

商品概述

该功率逻辑8位可寻址锁存器带有漏极开路DMOS晶体管输出,专为数字系统中的通用存储应用设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器、解码器或解复用器。这是一款多功能器件,可在8个可寻址锁存器中存储单线数据,也可作为带有低有效DMOS输出的3线-8线解码器或解复用器。可通过控制清零端(CLR)和使能端(G)选择四种不同的工作模式,功能表中已列出。在可寻址锁存模式下,数据输入端(D)的数据被写入被寻址的锁存器。被寻址的DMOS晶体管输出对输入数据进行反相,所有未被寻址的DMOS晶体管输出保持原有状态。在存储模式下,所有DMOS晶体管输出保持原有状态,不受数据或地址输入的影响。为避免锁存器输入错误数据,地址线变化时应将使能G保持为高电平(无效)。在3线-8线解码或解复用模式下,被寻址输出对D输入进行反相,所有其他输出关闭。在清零模式下,所有输出关闭,不受地址和数据输入的影响。当指定输出的数据为低电平时,DMOS晶体管输出关闭;当数据为高电平时,DMOS晶体管输出具有灌电流能力。输出为低侧漏极开路DMOS晶体管,额定输出为50 V、150 mA连续灌电流能力。每个输出在TC=25℃时典型限流为500 mA。结温升高时电流限制会降低,为器件提供额外保护。TPIC6B259的工作管壳温度范围为-40℃至125℃。

商品特性

  • 低导通电阻(rDS(on)),典型值5 Ω
  • 雪崩能量30 mJ
  • 八个功率DMOS晶体管输出,支持150 mA连续电流
  • 具备500 mA典型限流能力
  • 输出钳位电压50 V
  • 四种不同功能模式
  • 低功耗

应用领域

  • 数字系统通用存储应用
  • 工作寄存器
  • 串行保持寄存器
  • 解码器
  • 解复用器