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MPT015N10-T
N沟道 100V 399A
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- 描述
- 数量:1个N沟道 漏源电压:100V 连续漏极电流:399A 导通电阻:1.2mΩ@10V,50A
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT015N10-T
- 商品编号
- C49260729
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.136083克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 480A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 432W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 203nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.679nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.684nF |
商品概述
MPT015N10是N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电池管理系统（BMS）和大电流开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V，在VGS = 10 V、ID = 399 A时，Rds(on) < 1.35 mΩ（典型值：1.12 mΩ）
- 快速开关
- 导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电池管理系统（BMS）
- 大电流开关应用
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