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DX4N65F
650V、4A、2.3Ω N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 出色的RDS(ON)。 强大的电流能力。 环保产品，符合RoHS标准
- 品牌名称
- Dersem(德信创微)
- 商品型号
- DX4N65F
- 商品编号
- C49260757
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.7pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
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