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DX10N65F
650V、10A、0.8Ω N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低栅极电荷。 出色的导通电阻RDS(ON)。 强大的电流能力。 符合RoHS标准的绿色产品
- 品牌名称
- Dersem(德信创微)
- 商品型号
- DX10N65F
- 商品编号
- C49260759
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.338克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 129pF |
商品特性
- 低栅极电荷
- 出色的 RDS(ON)
- 强大的电流承载能力
- 符合 RoHS 标准的绿色产品