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CSD18543Q3AT-TP
N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- CSD18543Q3AT-TP
- 商品编号
- C49230903
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.243克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 80 A，在栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 6.5 mΩ（典型值：5.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 提供环保器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能出色
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）
应用领域
-负载开关-高频开关与同步整流-电池保护-不间断电源