温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPSTL50N6F7
N沟道 耐压:60V 电流:38A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPSTL50N6F7
- 商品编号
- C49230915
- 商品封装
- PDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1674克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.0683nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 104.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 161.9pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 60 A，当栅源电压（VGS） = 10 V时，导通电阻（RDS(ON)） < 8.5 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能出色
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-超小型便携式设备电池管理-电子设备-逻辑电平转换
相似推荐
其他推荐