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TPSTL50N6F7实物图
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TPSTL50N6F7

N沟道 耐压:60V 电流:38A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPSTL50N6F7
商品编号
C49230915
商品封装
PDFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1674克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
栅极电荷量(Qg)31.1nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)3.0683nF
反向传输电容(Crss)104.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)161.9pF

数据手册PDF

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