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TPM2025NP3

N沟道MOSFET

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPM2025NP3
商品编号
C49230916
商品封装
DFN1006-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.016克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.5A
导通电阻(RDS(on))88mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)715mW
阈值电压(Vgs(th))750mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.2nC@10V
输入电容(Ciss)135pF
反向传输电容(Crss)19pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)16pF

数据手册PDF

优惠活动

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(10000个/圆盘,最小起订量 10 个)
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