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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7414DN-TP

N沟道MOSFET

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
SI7414DN-TP
商品编号
C49230905
商品封装
PDFN-8(3x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.242333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)930pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)230pF

商品特性

  • 漏源电压(VDS):60V
  • 漏源电流(IDS)(栅源电压(VGS) = 10V 时):30A
  • 导通状态漏源电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = 10V 时):≤ 12mΩ(典型值)

应用领域

  • 负载开关
  • 高频开关与同步整流
  • 电池保护
  • 不间断电源

数据手册PDF