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SI2301B
-20V/80mΩ P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS(max) = -20V。 ID(max) = -2.5A。 RDS(ON) = 80mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 110mΩ（典型值）@VGS = -2.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- SI2301B
- 商品编号
- C49195706
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0317克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@2.5V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 248pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 最大漏源电压VDS(max) = -20 V
- 最大漏极电流ID(max) = -2.5 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时,导通电阻RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)
- 当栅源电压VGS = -2.5 V时,导通电阻RDS(ON) = 110 mΩ(典型值)
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理
- 负载开关