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AO3407A
-30V P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- AO3407A
- 商品编号
- C49195707
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0346克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于降低 RDS(ON) 的高密度单元设计
- 潮湿敏感度等级 1
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 最大漏源电压(VDS(max))=-30V
- 最大漏极电流(ID(max))= -4 A
- 当栅源电压(VGS)=-10 V时,导通电阻(RDS(ON))<51 mΩ(最大值)
- 当栅源电压(VGS)=-4.5 V时,导通电阻(RDS(ON))<70 mΩ(最大值)
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 脉冲宽度调制(PWM)应用
- 电源管理
- 负载开关