AO3407A
-30V P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性:VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。 先进沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用:PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- AO3407A
- 商品编号
- C49195707
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0346克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)个
起订量:20 个3000个/圆盘
总价金额:
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