温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2305A
-20V/27mΩ P沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS(max) = -20V。 ID(max) = -5.2A。 RDS(ON) = 27mΩ(max)@VGS = -4.5V。 RDS(ON) = 38mΩ(max)@VGS = -2.5V。 改进的dv/dt能力。 提供环保器件。应用：笔记本电脑。 手持仪器
- 品牌名称
- YONGYUTAI(永裕泰)
- 商品型号
- SI2305A
- 商品编号
- C49195712
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0339克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 最大漏源电压(VDS(max)) = -20 V
- 最大漏极电流(ID(max)) = -5.2 A
- 当栅源电压(VGS) = -4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON))最大为 27 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = -2.5 V 时,导通电阻(RDS(ON))最大为 38 mΩ
- 改善了 dv/dt 能力
- 有环保器件可供选择
- 快速开关
应用领域
- 笔记本电脑
- 手持式仪器
- 负载开关