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TPM100160NHW3
N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM100160NHW3
- 商品编号
- C49190794
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.972克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.9nF |
商品概述
BMF65N340E2是一款功率MOSFET，采用了Bestirpower先进的超结技术，可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过采用优化的电荷耦合技术，它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）优势，还具有低开关损耗。
商品特性
- 漏源电压(VDS):100V
- 漏源电流(IDS):160A
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS)= 10V时):<3.0mΩ(典型值)
应用领域
- 电机控制与驱动
- 负载开关
- 电源管理
- 脉宽调制(PWM)应用