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AO8814-TP
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AO8814-TP
- 商品编号
- C49190795
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1808克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 956pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- N沟道：VDS = 20 V，ID = 120 A，在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 3.5 mΩ（典型值：2.8 mΩ）
- P沟道：VDS = -20 V，ID = -120 A，在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 4.5 mΩ（典型值：3.6 mΩ）
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- 湿度敏感度等级为3级（MSL3）