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TPM8205AET8
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM8205AET8
- 商品编号
- C49190798
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3595克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 956pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):20V
- 漏源电流(IDS):7A
- 导通电阻(RDS(ON))(@栅源电压(VGS) = 4.5V) ≤ 14mΩ
- 导通电阻(RDS(ON))(@栅源电压(VGS) = 2.5V) ≤ 17mΩ
应用领域
- 电池保护
- 电池供电系统
- 电源管理
- 电机控制
- 便携式电源适配器
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