我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐合作库存PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
AO8822-TP实物图
  • AO8822-TP商品缩略图
  • AO8822-TP商品缩略图
  • AO8822-TP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO8822-TP

双N沟道增强型MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
AO8822-TP
商品编号
C49190796
商品封装
TSSOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1806克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@2.5V;12mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)11.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)956pF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)200pF

商品概述

BMF65N380E2是一款功率MOSFET,采用了百思特的先进超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 它采用优化的电荷耦合技术,可提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计人员带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具有低开关损耗。

商品特性

  • 降低开关和传导损耗
  • 降低开关噪声
  • 100%雪崩测试
  • 无卤且符合RoHS标准

应用领域

-电池保护-电池供电系统-电源管理-电机控制-便携式电源适配器

数据手册PDF