AO8822-TP
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- AO8822-TP
- 商品编号
- C49190796
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1806克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@2.5V;12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 956pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品概述
BMF65N380E2是一款功率MOSFET,采用了百思特的先进超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。 它采用优化的电荷耦合技术,可提供更高的效率。这些用户友好型器件为设计人员带来低电磁干扰(EMI)优势,同时具有低开关损耗。
商品特性
- 降低开关和传导损耗
- 降低开关噪声
- 100%雪崩测试
- 无卤且符合RoHS标准
应用领域
-电池保护-电池供电系统-电源管理-电机控制-便携式电源适配器
