温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF11N50M2
1个N沟道 耐压:500V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF11N50M2
- 商品编号
- C500967
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 395pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些器件是采用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。得益于其条形布局和改进的垂直结构，这些器件呈现出低导通电阻和优化的开关特性，使其适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 极低的栅极电荷
- 出色的输出电容（Cₒₛₛ）特性
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用