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DMN2020LSN-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.9A
- 描述
- 特性：低导通电阻。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD防护高达2KV。 无铅设计/RoHS合规。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2020LSN-7
- 商品编号
- C500773
- 商品封装
- SC-59-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V,8.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 610mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.149nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 142pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 静电放电（ESD）防护高达2KV
- 无铅设计/符合RoHS标准
- “绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准