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KTS1650BEVG-TR
OVP过压保护
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- 描述
- KTS1650B过压保护（OVP）器件采用导通电阻超低（典型值36mΩ）的大电流集成MOSFET，可主动保护低压系统免受高达+28V的电源故障影响。内部钳位电路可保护该器件免受高达200V的浪涌冲击。当输入电压超过过压阈值时，内部MOSFET将关断，防止过高电压损坏下游器件
- 品牌名称
- KINETIC(芯凯)
- 商品型号
- KTS1650BEVG-TR
- 商品编号
- C500373
- 商品封装
- WLCSP-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电池管理 | |
| 芯片类型 | 保护芯片 | |
| 工作电压 | 2.3V~28V | |
| 电池类型 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 电池节数 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 静态电流(Iq) | 100uA |
商品概述
KTS1650B过压保护（OVP）器件采用导通电阻超低（典型值36mΩ）的大电流集成MOSFET，可有效保护低压系统免受高达+28V DC的电源故障影响。内部钳位电路可保护器件免受高达200V的浪涌冲击。
商品特性
- 宽输入电压范围：2.3V至28V
- 连续电流能力高达4.5A
- 集成36mΩ（典型值）N沟道MOSFET
- 宽过压阈值范围
- 内部固定值：6.4V
- 可调范围：4V至24V
- 快速OVP响应时间：0.1μs（典型值）
- 内部15ms启动消抖
- 集成高达±200V的浪涌保护
- 低静态电流：100μA（典型值）
- 热关断和短路保护
- 符合IEC61000-4-2（4级）标准
- 接触放电：±8kV
- 空气放电：±15kV
- ESD保护
- 人体模型：±2kV
- 无铅封装：12凸点WLCSP
- 温度范围：-40°C至+85°C
应用领域
- 智能手机
- 平板电脑
- 移动互联网设备、外设
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