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AO3407A
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 漏源电压:30V 连续漏极电流:4.3A 导通电阻:78mΩ@4.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：1.2V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- baocheng(宝乘)
- 商品型号
- AO3407A
- 商品编号
- C48678027
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 668pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 126pF |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 低热阻
- 低RDS(ON)以最小化传导损耗
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 移动主板/显卡核心电压
- 开关电源二次侧同步整流
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器