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SI9435BDY-TP

P沟道功率MOSFET

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
SI9435BDY-TP
商品编号
C48639037
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2272克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC
输入电容(Ciss)890pF
反向传输电容(Crss)90pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)111pF

商品特性

  • 200V、110A,RDS(on)最大值=11.5mΩ(VGS=10V时)
  • 改善的dv/dt能力
  • 快速开关
  • 100%保证抗雪崩能力
  • 提供环保型器件

应用领域

-反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用

数据手册PDF