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TPWPM1481

P沟道增强型MOSFET

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
TPWPM1481
商品编号
C48639042
商品封装
DFN-6L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0568克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))24.5mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)2.6W
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)12.8nC@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • VDS = -20V,ID = -8A
  • 当VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 24.5 mΩ(典型值)
  • 当VGS = -2.5V 时,RDS(ON) = 31 mΩ(典型值)

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 手机电池充电

数据手册PDF