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TPMPB15XP
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPMPB15XP
- 商品编号
- C48639046
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.134nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 121pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品特性
- 增强型
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- VitoMOS II技术
- 100%雪崩测试
- 优化栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd以及Qgd/Qgs比值，以最小化开关损耗
- TO-220AB封装
- 无铅
- 无卤
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