温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPMPB29XPE
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPMPB29XPE
- 商品编号
- C48639041
- 商品封装
- DFN2X2-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0569克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24.5mΩ@4.5V；31mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.134nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 121pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体先进的功率沟槽工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A条件下，最大RDS(on) = 4.3 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量（UIS）测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器