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SLM21867CA-DG

600V高低侧驱动器

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描述: 600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns
品牌名称: Sillumin(数明半导体)
商品型号: SLM21867CA-DG
商品编号: C496627
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.104克(g)

商品参数

商品概述

SLM21867是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达600 V。

商品特性

专为自举操作设计的浮动通道
最高可在+600 V下完全正常工作
低VCC工作电压
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
栅极驱动电源范围为7 V至20 V
双通道均具备欠压锁定功能
与3.3 V和5 V逻辑兼容
带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
双通道传播延迟匹配
输出与输入同相
符合RoHS标准的SOP8封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2.5A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	7V~20V
	上升时间(tr)	8ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	5ns
	传播延迟 tpLH	170ns
	传播延迟 tpHL	170ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	800mV
	静态电流(Iq)	290uA