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PTVSHC3N18VUH实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PTVSHC3N18VUH

TVS 18V截止 峰值脉冲电流:138A@8/20us

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描述
PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器专为在手机、笔记本电脑和个人数字助理(PDA)等便携式应用中替代多层压敏电阻(MLV)而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供了理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,并且与MLV相比,不会出现器件性能退化的问题。PTVSHC3N18VU可保护敏感半导体元件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N18VU采用DFN2×2 - 3L封装,工作电压为18伏。
品牌名称
Prisemi(芯导)
商品型号
PTVSHC3N18VUH
商品编号
C496533
商品封装
DFN-3L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.043克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)18V
钳位电压33V
峰值脉冲电流(Ipp)138A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)4kW@8/20us
属性参数值
击穿电压19V
反向电流(Ir)1uA
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容900pF

商品概述

PTVSHC3N18VU瞬态电压抑制器专为在便携式应用(如手机、笔记本电脑和个人数字助理 (PDA))中替代多层压敏电阻 (MLV) 而设计。它们的特点是具有大截面积结,可传导高瞬态电流,为电路板级保护提供理想的电气特性,如响应时间快、工作电压低、钳位电压低,与 MLV 相比无器件性能退化问题。PTVSHC3N18VU 可保护敏感半导体元件免受静电放电 (ESD) 和其他电压感应瞬态事件造成的损坏或故障。PTVSHC3N18VU 采用 DFN2×2 - 3L 封装,工作电压为 18 伏。

商品特性

  • 每线 4000W 峰值脉冲功率 (tP = 8/20μs)
  • DFN2×2 - 3L 封装
  • 典型响应时间 < 1 ns
  • 保护一个 I/O 或电源线
  • 低钳位电压
  • 符合 RoHS 标准
  • 数据线瞬态保护,符合 IEC 61000 - 4 - 2 (ESD) ±30KV(空气)、±30KV(接触);IEC 61000 - 4 - 4 (EFT) 80A (5/50ns),IEC 61000 - 4 - 5 (雷击) 138A (8/20us)

应用领域

-手机及配件-个人数字助理 (PDA)-笔记本电脑、台式电脑和服务器-便携式仪器-无绳电话-数码相机-外设-MP3 播放器

数据手册PDF