SLM2110CG
集成电路
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- 描述
- 600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS
- 品牌名称
- Sillumin(数明半导体)
- 商品型号
- SLM2110CG
- 商品编号
- C496629
- 商品封装
- SOIC-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.535克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边;高边 | |
| 负载类型 | MOSFET;IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.6A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns | |
| 传播延迟 tpLH | 140ns | |
| 传播延迟 tpHL | 140ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 300uA |
商品概述
SLM2110是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达600 V。
商品特性
- 浮动通道专为自举操作而设计
- 最高可在+600 V下完全正常工作
- 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
- 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
- 双通道均具备欠压锁定功能
- 与3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
- 逻辑地和功率地偏移范围为+/-5 V
- 具备交叉导通预防逻辑
- 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
- 逐周期边沿触发关断逻辑
- 双通道传播延迟匹配
- 输出与输入同相
- 符合RoHS标准的SOIC-16(WB)封装
优惠活动
购买数量
(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交15单
