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SLM2110CG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SLM2110CG

集成电路

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描述
600V半桥,互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,SD负逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/120ns, DT:NA, MT:10nS
商品型号
SLM2110CG
商品编号
C496629
商品封装
SOIC-16-300mil​
包装方式
编带
商品毛重
0.535克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置低边;高边
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)1.6A
拉电流(IOH)1A
工作电压10V~20V
属性参数值
上升时间(tr)15ns
下降时间(tf)9ns
传播延迟 tpLH140ns
传播延迟 tpHL140ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
静态电流(Iq)300uA

商品概述

SLM2110是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,可低至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,最高工作电压可达600 V。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作而设计
  • 最高可在+600 V下完全正常工作
  • 耐受负瞬态电压,抗dV/dt干扰
  • 栅极驱动电源范围为10 V至20 V
  • 双通道均具备欠压锁定功能
  • 与3.3 V、5 V和15 V逻辑兼容
  • 逻辑地和功率地偏移范围为+/-5 V
  • 具备交叉导通预防逻辑
  • 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
  • 逐周期边沿触发关断逻辑
  • 双通道传播延迟匹配
  • 输出与输入同相
  • 符合RoHS标准的SOIC-16(WB)封装

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(1500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1500个/圆盘

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