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DMG6301UDW-TP
30V双N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMG6301UDW-TP
- 商品编号
- C48543184
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0188克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 72.9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18.3pF |
商品概述
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT - 23表面贴装封装。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 100V
- 漏极电流（ID） = 2A
- 栅源电压（VGS） = 10V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值 = 230mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值 = 240mΩ
应用领域
-反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制