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MP3184-G(B)实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MP3184-G(B)

DIP8封装,直流输入,3.0A,栅极驱动光电耦合器

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描述
驱动光耦:输入类型:DC 共模瞬变抗扰度CMTI:35kV/us 传播延迟tpLH/tpHL:210ns;210ns 电源电压:15V~30V 高抗扰度,3.0A 输出电流,门极驱动器光耦合器 MP3184 是一款 3.0A 输出电流门极驱动光耦合器,能够驱动大多数 1200V/100A IGBT/MOSFET。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用IGBT和MOSFET的快速开关驱动
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MP3184-G(B)
商品编号
C47361128
商品封装
DIP-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.922222克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动光耦
负载类型MOSFET;IGBT
CMTI(kV/us)50kV/us
驱动侧工作电压15V~30V
峰值输出电流3A
传播延迟 tpHL94ns
传播延迟 tpLH62ns
隔离电压(Vrms)5kV
属性参数值
耗散功率(Pd)295mW
工作温度-40℃~+110℃
正向压降(Vf)1.3V
直流反向耐压(Vr)5V
正向电流(If)25mA
下降时间(tf)20ns
上升时间(tr)30ns
功能特性轨到轨输出;带滞后的欠压锁定

商品概述

MP3184 是一款输出电流为 3A 的高速 MOSFET/IGBT 栅极驱动光耦合器。它由一个铝镓砷发光二极管与一个集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的 CMOS 探测器集成电路功率级进行光耦合。该器件非常适用于驱动等离子显示面板、电机控制逆变器应用以及高性能 DC/DC 转换器中使用的功率 MOSFET/IGBT 的高频驱动。器件采用 8 引脚双列直插式封装,兼容 260℃ 回流焊工艺,符合无铅焊接要求。

商品特性

  • 高抗噪性,典型共模抑制比达 50kV/μs(VCM = 2000V时)
  • 工作温度范围 -40℃ ~ 110℃
  • 工作 VDD 电压范围 15V ~ 30V
  • 快速开关速度与快速输出上升/下降时间,最大开关速度 250kHz,轨到轨输出
  • 带滞回的欠压锁定保护,针对驱动 IGBT 进行了优化

应用领域

  • IGBT/MOSFET栅极驱动
  • 等离子显示面板
  • DC/DC转换器
  • 高性能不间断电源
  • 开关电源

数据手册PDF