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RCLAMP2502L.TBT
用于千兆以太网应用的低电容TVS阵列，可保护高速数据接口免受静电放电、电缆放电和雷击影响
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- 品牌名称
- SEMTECH
- 商品型号
- RCLAMP2502L.TBT
- 商品编号
- C47126923
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | - | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 2.5V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 40A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 800W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 双路 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 5pF |
商品概述
RailClamp是一种低电容TVS阵列，旨在保护高速数据接口。该系列专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件，使其免受由ESD（静电放电）、CDE（电缆放电事件）和雷击引起的过电压影响。
独特的设计将浪涌额定、低电容转向二极管和TVS二极管集成在一个封装中。在瞬态条件下，转向二极管将瞬态电流引离受保护的IC。内部TVS二极管将瞬态电压钳位到安全水平。低电容阵列配置允许用户保护多达两条高速数据线。
RClamp2502L采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低关断电压，同时显著降低泄漏电流和电容。它们具有2.5伏的真实工作电压，提供卓越的保护。
RClamp2502L采用8引脚SOIC封装。引脚采用无铅哑光锡镀层。低钳位电压、高浪涌能力和低负载电容的组合，使RClamp2502L成为保护GbE系统以满足GR - 1089雷击抗扰度要求的理想解决方案。
商品特性
- 高速数据线的瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±15kV（空气）、±8kV（接触），IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50ns），IEC 61000 - 4 - 5（雷击）24A（1.2/50μs）
- 带有内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
- 最多保护两条I/O线
- 低电容：<5pF（线间）
- 高浪涌能力：40A（tp = 8/20μs）
- 低工作电压：2.5V
- 易于布局
- 固态硅雪崩技术
应用领域
- 10/100/1000以太网接口
- CPE设备
- GPON系统
- VoIP电话
- 视频监控系统