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SI4435DY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI4435DY

耐压:30V 电流:12A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
SI4435DY
商品编号
C4355022
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)25nC
输入电容(Ciss)1.2nF@15V
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 高输入阻抗
  • 低栅极阈值电压:Vth = 0.5至1.5 V
  • 出色的开关时间:导通时间ton = 0.06 μs(典型值)
  • 关断时间toff = 0.12 μs(典型值)
  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.2 Ω(典型值)
  • 小封装
  • 增强型

应用领域

  • 高速开关应用-模拟开关应用

数据手册PDF