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DME6010D
N沟道+N沟道 耗尽型MOSFET
- 描述
- N+N双通道集成MOSFET,采用600V与100V N沟道耗尽型MOSFET组合设计，单芯片解决电源IC的启动供电（600V高压通道，RDS(on)典型值600Ω）与稳态供电（100V高阈值通道，VOUT典型值≈15V）。显著简化电路架构，节省PCB空间，适用于开关电源、Type-C/PD快充等需高压启动与精准稳压的场景。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DME6010D
- 商品编号
- C46532089
- 商品封装
- SOP-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.156克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω；700Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 27V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DME6010D集成了一个600V耗尽型MOSFET作为启动器件,以及一个采用专利UltraVt®技术的100V耗尽型MOSFET,作为非隔离式高压稳压器,可为负载提供稳定、安全的电压。DME6010D用于PD充电器或QC充电器,以降低成本并节省空间。
商品特性
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 专有先进高阈值电压技术
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- PD/快速充电器
- 开关电源启动电路