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FTD03P20G
200V P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 增强型MOSFET_P-Channel _-200V_6Ω_-2A_TO-252
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTD03P20G
- 商品编号
- C46531782
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.446667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 228.3pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 集成栅源电阻
- 集成栅源齐纳二极管
- 低导通电阻
- 低阈值
- 低输入电容
- 低输入和输出泄漏电流
- 快速开关速度
- 无二次击穿
- 可提供无卤产品
- 符合RoHS标准
应用领域
- 放大器
- 缓冲器
- 通用线路驱动器
- 高压脉冲发生器
- 逻辑电平接口
- 压电换能器驱动器
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