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DMX11C55EA
600V N沟道耗尽型功率MOSFET
- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel _600V_600Ω_0.01A_SOT-89
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMX11C55EA
- 商品编号
- C46532091
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 560pC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 650V、15A
- RDS(ON) < 300 mΩ（@ VGS = 10 V，典型值：240 mΩ）
- 超结技术
- 极低导通电阻
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
- LED/LCD/PDP电视和显示器照明-太阳能/可再生能源/UPS微型逆变器系统-充电器-电源