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DMX11C55EA
600V N沟道耗尽型功率MOSFET
- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel _600V_600Ω_0.01A_SOT-89
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMX11C55EA
- 商品编号
- C46532091
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.134克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 560pC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 耗尽型(常开)
- 无二次击穿
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 增强的静电放电(ESD)能力
- 高输入阻抗
- 符合 RoHS 标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 常开开关
- 恒流源
- 输入保护电路
- 电源电路
- 固态继电器
- 转换器