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FTE03R20D
N沟道+P沟道 增强型MOSFET
- 描述
- N+P双通道MOSFET，采用平面工艺设计，可靠性高，性能优异，SOP-8双芯小型化封装，此微型集成器件提供了单组件方案，N、P管的G-S间均集成了电阻与齐纳二极管（可对G-S电压进行钳位），输入阻抗高，且具有较强的功率处理能力，是高压脉冲发生器应用的理想选择。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTE03R20D
- 商品编号
- C46532093
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω；6Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 228.3pF；178.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.82pF；6.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 可再生能源
- 太阳能（光伏逆变器）