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SPP11N80C3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SPP11N80C3

1个N沟道 耐压:800V 电流:11A

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描述
特性:新的革命性高压技术。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 超低栅极电荷。应用:具有高直流母线电压的工业应用。 开关应用(如有源钳位正激)
商品型号
SPP11N80C3
商品编号
C476111
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.912克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)800V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@10V,7.1A
耗散功率(Pd)156W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.9V
栅极电荷量(Qg)64nC@10V
输入电容(Ciss)1.6nF@100V
反向传输电容(Crss)140pF@100V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 全新革命性高压技术
  • 极高的dv/dt额定值
  • 高峰值电流能力
  • 针对目标应用通过JEDEC认证
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 超低栅极电荷
  • 超低有效电容

应用领域

  • 高直流母线电压的工业应用
  • 开关应用(如有源钳位正激电路)

数据手册PDF