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IPD50N04S4L-08
1个N沟道 耐压:40V 电流:50A
- 描述
- 特性：N通道。增强模式。AEC合格。MSL1，最高260℃峰值回流温度。175℃工作温度。绿色产品（符合RoHS标准）。100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD50N04S4L-08
- 商品编号
- C476116
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过AEC认证
- 湿度敏感度等级1级，最高峰值回流温度260°C
- 工作温度175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试