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BSO110N03MSG
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 特性：针对5V驱动应用（笔记本电脑、VGA、负载点）进行优化。 高频开关电源的低品质因数FOM_SW。 100%雪崩测试。 N沟道。 极低导通电阻RDS(on)@VGS = 4.5V。 出色的栅极电荷 × RDS(on)乘积（FOM）。 符合消费级应用要求。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSO110N03MSG
- 商品编号
- C476117
- 商品封装
- DSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,12.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2500个/圆盘
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