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IPB60R190C6
1个N沟道 耐压:600V 电流:20.2A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。所提供的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB60R190C6
- 商品编号
- C476127
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.585克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V,9.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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