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IRS21271STRPBF

单通道电流检测驱动器

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描述: IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRS21271STRPBF
商品编号: C476118
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.111克(g)

商品参数

商品概述

IRS2127/IRS2128/IRS21271/IRS21281是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有HVIC和抗闭锁CMOS技术，实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V。保护电路可检测被驱动功率晶体管中的过电流，并终止栅极驱动电压。提供漏极开路FAULT信号，以指示发生过电流关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高可承受600 V电压。

商品特性

浮动通道专为自举操作设计，可在高达+600 V的电压下完全正常工作，能耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
特定应用的栅极驱动范围：电机驱动：12 V至20 V（IRS2127/IRS2128）；汽车应用：9 V至20 V（IRS21271/IRS21281）
欠压锁定
与3.3 V、5 V和15 V输入逻辑兼容
FAULT引脚指示已发生关断
输出与输入同相（IRS2127/IRS21271）
输出与输入反相（IRS2128/IRS21281）
符合RoHS标准

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	高边
	负载类型	IGBT；MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	420mA
	拉电流(IOH)	200mA
	工作电压	9V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	80ns
	下降时间(tf)	40ns
	传播延迟 tpLH	150ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)
	静态电流(Iq)	60uA