WTM11N65AD
WTM11N65AD
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM11N65AD
- 商品编号
- C46079379
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 78W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 4.5V逻辑电平下低导通电阻（RDS(on)）
- 5V逻辑电平控制
- PDFN3333贴片封装
应用领域
- 高端负载开关
- 电池开关
- 专为便携式产品的电源管理应用优化，如航模、移动电源、无刷电机、主板等