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WTM11N65ANF
650V N沟道超结MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM11N65ANF
- 商品编号
- C46079381
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1435克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@370uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 极低的品质因数（RDS(on) × Qg）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100%雪崩测试
- 内置ESD二极管
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 电视电源和LED照明电源