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WTM40N65FTL
N沟道超结MOSFET
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 230W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 99mΩ@10V,15.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM40N65FTL
- 商品编号
- C46079383
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.909克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 99mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.596nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 122pF |
商品特性
- 650V超结MOSFET
- 超快体二极管：trr = 202 ns（典型值）
- 低漏源导通电阻：RDS(on) = 0.099 Ω（最大值）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件