WTM30N65ATL
WTM30N65ATL
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 34W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,10.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1.1mA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N65ATL
- 商品编号
- C46079387
- 商品封装
- TOLL-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品概述
ESN7534是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN7534为无铅产品。
商品特性
- 30V，栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.0mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 7.4mΩ（典型值）
- 采用高密度单元设计，实现低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换