温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WTM90N03JD
90A、30V N沟道MOSFET
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流(Id): 90A 功率(Pd): 67W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM90N03JD
- 商品编号
- C46079380
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.749克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 67W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.881nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 196pF |
商品特性
- 先进MOS技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理