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MDDG10R08D
100V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这款N沟道MV MOSFET采用先进的功率沟槽工艺制造，该工艺融合了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时凭借一流的软体二极管保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG10R08D
- 商品编号
- C45991084
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
这款N沟道中压（MV）MOSFET采用了MDD半导体先进的功率沟槽工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可在实现极低导通电阻的同时，借助同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 35 A条件下,最大导通电阻RDS(on) = 8 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于AC/DC快速充电器的同步整流
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器
- 电池管理系统