温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDD60N04D
40V N沟道增强型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术生产。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD60N04D
- 商品编号
- C45990958
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD先进的功率沟槽技术制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借一流的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 30 A时,最大RDS(on) = 7 m Ω
- 极低的反向恢复电荷Qg
- 100%经过UIS测试
- 100%经过dVDS测试
应用领域
- 电信、工业自动化领域的电源管理
- 电机驱动和不间断电源
- DC/DC和AC/DC(同步整流)子系统中的电流切换
- 负载开关
相似推荐
其他推荐