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MDD60N04D
40V N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术生产。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能和一流的软体二极管。
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD60N04D
- 商品编号
- C45990958
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
GT100N20TT采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：200V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = 10V时）：130A
- 导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（VGS = 10V时）：< 10mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率开关-DC/DC转换器
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