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MDD20N06D
60V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：Occ || Λ > d a& a^A|A[ a@a*a} WdaA, AaA@a*^ S,AaA- Aa- Aa8a8a & a8a8a&@a8a8a8a8a。应用：U|,A,8@*A|8a8a}
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD20N06D
- 商品编号
- C45990959
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44924克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V；26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 散热性能良好的优质封装
- 超低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
应用领域
- 功率开关应用