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MDD2N60D
600V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 100% UIS测试。 符合RoHS标准。应用：功率因数校正。 开关电源
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2N60D
- 商品编号
- C45990952
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 338pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 36pF |
商品特性
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)）
- 低栅极电荷
- 100% 非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED 驱动器